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现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
DRAM特点如下：
●存储原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）。 [8]
●刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，定时给栅极电容补充电荷的操作。 [8]
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 [8]
●优点： 集成度远SRAM、功耗低，价格也低。 [8]
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。 [8]
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
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