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硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。
导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷
非平衡载流子寿命 光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。
硅料回收的方法主要有以下几种：
1. 机械回收：通过物理方法对硅料进行分离、筛选和破碎，将废弃的硅料分离出来，然后进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较大的情况。
2. 化学回收：通过化学方法将废弃的硅料溶解，然后经过沉淀、过滤等步骤将硅料分离出来，再进行再利用。这种方法适用于硅料的粒度较小的情况。
3. 热处理回收：通过高温处理废弃的硅料，使其发生物理或化学变化，然后进行分离和提取。这种方法适用于含有有机杂质的硅料。
